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X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 = = Desi...

翁聖峰

X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 = = Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 =/ 翁聖峰.
Reminder of title:	Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors /
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Author:	翁聖峰
Published:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民112.07.,
Description:	[10], 63面 :圖, 表 ; : 30公分.;
Notes:	指導教授: 沈自.
Subject:	pHEMT. -
Online resource:	電子資源

X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 = = Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors /
翁聖峰

X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 =Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors /Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors.翁聖峰. - 008.160M - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民112.07. - [10], 63面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 沈自.

碩士論文--國立虎尾科技大學電子工程系碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

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pHEMT.

X-Band 低雜訊放大器實現於pHEMT電晶體之設計 = = Design of the X-Band Low Noise Amplifiers Realized by pHEMT Transistors /
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