氫摻雜氧化銦錫堆疊層對具氧化鉬電洞選擇性接觸層或背鋁表面電場之單晶矽太陽...
王品勛

 

  • 氫摻雜氧化銦錫堆疊層對具氧化鉬電洞選擇性接觸層或背鋁表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究 = = Effects of Hydrogen-Doped Indium Tin Oxide Stacked Films on Photovoltaic Characteristics of Monocrystalline Silicon Solar Cells with Molybdenum Oxides as Hole-Selective Contact Layers or Al Back-Surface-Field /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 氫摻雜氧化銦錫堆疊層對具氧化鉬電洞選擇性接觸層或背鋁表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究 =/ 王品勛.
    其他題名: Effects of Hydrogen-Doped Indium Tin Oxide Stacked Films on Photovoltaic Characteristics of Monocrystalline Silicon Solar Cells with Molybdenum Oxides as Hole-Selective Contact Layers or Al Back-Surface-Field /
    其他題名: Effects of Hydrogen-Doped Indium Tin Oxide Stacked Films on Photovoltaic Characteristics of Monocrystalline Silicon Solar Cells with Molybdenum Oxides as Hole-Selective Contact Layers or Al Back-Surface-Field.
    作者: 王品勛
    出版者: 雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民111.11.,
    面頁冊數: [11], 63面 :圖, 表 ; : 30公分.;
    附註: 指導教授: 鄭錦隆.
    標題: 氧化銦錫. -
    電子資源: 電子資源
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
T012311 圖書館B1F 博碩士論文專區 不流通(NON_CIR) 碩士論文(TM) TM 008.166M 1066 111 一般使用(Normal) 在架 0
  • 1 筆 • 頁數 1 •
多媒體
評論
Export
取書館別
 
 
變更密碼[密碼必須為2種組合(英文和數字)及長度為10碼以上]
登入