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利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 = ...

林俊甫

利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 = = Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 =/ 林俊甫.
其他題名:	Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors /
其他題名:	Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors.
作者:	林俊甫
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民112.07.,
面頁冊數:	[9], 54面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 沈自.
標題:	低雜訊放大器. -
電子資源:	電子資源

利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 = = Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors /
林俊甫

利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 =Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors /Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors.林俊甫. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民112.07. - [9], 54面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 沈自.

碩士論文--國立虎尾科技大學電子工程系碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

996293
低雜訊放大器.

利用pHEMT電晶體設計之X-Band與Ku-Band低雜訊放大器 = = Low Noise Amplifiers of X-Band and Ku-Band Designed by pHEMT Transistors /
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500 $a 指導教授: 沈自.
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