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利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 = = Study...

洪崇軒

利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 = = Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 =/ 洪崇軒.
其他題名:	Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition /
其他題名:	Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition.
作者:	洪崇軒
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民112.07.,
面頁冊數:	[9], 97面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 劉代山.
標題:	非晶氫化碳氧化矽薄膜. -
電子資源:	電子資源

利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 = = Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition /
洪崇軒

利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 =Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition /Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition.洪崇軒. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民112.07. - [9], 97面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 劉代山.

碩士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

1421670
非晶氫化碳氧化矽薄膜.

利用電漿增強化學氣相沉積法製備氫化碳氧化矽薄膜之研究 = = Study on the Preparation of Hydrogenated Silicon Oxy-Carbon Films Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition /
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500 $a 指導教授: 劉代山.
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