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Properties of advanced semiconductor...
~
Rumyantsev, Sergey L
Properties of advanced semiconductor materials : GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
副題名:
GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe
其他作者:
LevinshteinM. E,
其他作者:
RumyantsevSergey L,
其他作者:
ShurMichael,
出版地:
New York
出版者:
Wiley;
出版年:
2001
面頁冊數:
xvii, 194 pill : 25 cm;
標題:
Semiconductors - Materials -
ISBN:
0471358274
Properties of advanced semiconductor materials : GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe
Properties of advanced semiconductor materials
: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / edited by Michael E. Levinshtein, Sergey L. Rumyantsev, Michael S. Shur - New York : Wiley, 2001. - xvii, 194 p ; ill ; 25 cm.
Includes bibliographical references.
ISBN 0471358274
Semiconductors -- Materials
Levinshtein, M. E
Properties of advanced semiconductor materials : GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe
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20020515
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圖書館3F 書庫
館藏
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E022527
圖書館3F 書庫
一般圖書(BOOK)
一般圖書
537.6226 P965 2001
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