語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
VLSI設計概論
~
Eshraghian, Kamran
VLSI設計概論
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:
季特林,
其他作者:
楊志能,
出版地:
臺北縣五股鄉
出版者:
高立圖書;
出版年:
民91[2002]
版本:
初版
面頁冊數:
xx, 424面圖, 表 : 23公分;
標題:
積體電路 -
附註:
作者號取自譯者
ISBN:
9864120255
VLSI設計概論
, 季特林
VLSI設計概論
/ Douglas A. Pucknell, Kamran Eshraghian原著 ; 楊志能譯 - 初版. - 臺北縣五股鄉 : 高立圖書, 民91[2002]. - xx, 424面 ; 圖, 表 ; 23公分.
作者號取自譯者.
含參考書目.
ISBN 9864120255
積體電路
楊, 志能
VLSI設計概論
LDR
:00910cam 2200229 450
001
489414
005
20101024065240.0
009
aB-wide 14568
010
0
$a
9864120255
$b
平裝
$d
新臺幣540元
100
$a
20080130d2005 m y0chiy09 e
101
1
$a
chi
$c
eng
102
$a
cw
105
$a
ak a 000yy
200
1
$a
VLSI設計概論
$f
Douglas A. Pucknell, Kamran Eshraghian原著
$g
楊志能譯
205
$a
初版
210
$a
臺北縣五股鄉
$c
高立圖書
$d
民91[2002]
215
0
$a
xx, 424面
$c
圖, 表
$d
23公分
300
$a
作者號取自譯者
320
$a
含參考書目
320
$a
附錄: A. 2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型井CMOS-電性參數; B. 1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井CMOS-設計規則與流程及元件規格; C. 可程式邏輯陣列
454
1
$1
2001
$a
Basic VLSI design, 3rd ed
606
$a
積體電路
$3
587752
681
$a
448.62
$b
4642
$v
初版
$y
91
700
$b
季特林
$c
(Gitlin, Todd)
$4
製作
$3
389171
702
$a
楊
$b
志能
$4
譯
$3
480234
770
$a
Pucknell
$b
Douglas A
$3
398273
771
$a
Eshraghian
$b
Kamran
$3
537889
801
0
$a
cw
$b
國立虎尾科技大學
$c
20061004
$g
CCR
筆 0 讀者評論
全部
圖書館4F 書庫
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
C094126
圖書館4F 書庫
一般圖書(BOOK)
一般圖書
448.62 8441 91
一般使用(Normal)
在架
0
預約
C087923
圖書館4F 書庫
一般圖書(BOOK)
一般圖書
448.62 4642 94 c.2
一般使用(Normal)
在架
0
預約
2 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼[密碼必須為2種組合(英文和數字)及長度為10碼以上]
登入