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銦錫氧化物作為銅製程中擴散阻礙層之研究 = Study of Nanoc...

楊立中

銦錫氧化物作為銅製程中擴散阻礙層之研究 = Study of Nanocrystalline Indium Tin Oxide as Diffusion Barrier for Copper Metallization

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Study of Nanocrystalline Indium Tin Oxide as Diffusion Barrier for Copper Metallization
Author:	劉健民,
Secondary Intellectual Responsibility:	陳文照,
Secondary Intellectual Responsibility:	楊立中,
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學; 國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	2005,民94
Edition:	初版
Description:	76 面圖 : 30公分;
Series:	光電與材料科技研究所
Subject:	微晶
Subject:	擴散阻礙層
Subject:	覆蓋層
Subject:	銦錫氧化物
Subject:	capping layer
Subject:	diffusion barrier
Subject:	indium tin oxide
Subject:	nanocrystalline
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0630105-162410
Notes:	全文電子檔使用校內外完全公開

銦錫氧化物作為銅製程中擴散阻礙層之研究 = Study of Nanocrystalline Indium Tin Oxide as Diffusion Barrier for Copper Metallization
劉, 健民

銦錫氧化物作為銅製程中擴散阻礙層之研究 = Study of Nanocrystalline Indium Tin Oxide as Diffusion Barrier for Copper Metallization / 劉健民 ; 陳文照,楊立中指導 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 2005,民94. - 76 面 ; 圖 ; 30公分. - (光電與材料科技研究所).
全文電子檔使用校內外完全公開畢業學年度:93指導教授:楊立中指導教授:陳文照.
微晶擴散阻礙層覆蓋層銦錫氧化物capping layerdiffusion barrierindium tin oxidenanocrystalline

陳, 文照

銦錫氧化物作為銅製程中擴散阻礙層之研究 = Study of Nanocrystalline Indium Tin Oxide as Diffusion Barrier for Copper Metallization
LDR:01517cam0 2200373 450 001 497792
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300 $a 指導教授:楊立中 $u Thesis advisor:Li-Chung Yang
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