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上部發光反置型有機發光二極體使用氮化鋁當緩衝層 = Top-Emissi...

Fuh-Shyang Juang

上部發光反置型有機發光二極體使用氮化鋁當緩衝層 = Top-Emission Inverted Organic Light Emitting Diode Using Aluminum Nitride as Buffer Layer

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Top-Emission Inverted Organic Light Emitting Diode Using Aluminum Nitride as Buffer Layer
Author:	曾建璋,
Secondary Intellectual Responsibility:	莊賦祥,
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學; 國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	2005,民94
Edition:	初版
Description:	68 面圖 : 30公分;
Series:	光電與材料科技研究所
Subject:	上部發光有機發光二極體
Subject:	共振腔
Subject:	緩衝層
Subject:	Buffer Layer
Subject:	Microcavity
Subject:	Top Emission Inverted Light Emitting Diode
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0707105-113123
Notes:	全文電子檔使用校內於2005年7月7日公開;校外於2006年7月7日公開

上部發光反置型有機發光二極體使用氮化鋁當緩衝層 = Top-Emission Inverted Organic Light Emitting Diode Using Aluminum Nitride as Buffer Layer
曾, 建璋

上部發光反置型有機發光二極體使用氮化鋁當緩衝層 = Top-Emission Inverted Organic Light Emitting Diode Using Aluminum Nitride as Buffer Layer / 曾建璋 ; 莊賦祥指導 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 2005,民94. - 68 面 ; 圖 ; 30公分. - (光電與材料科技研究所).
全文電子檔使用校內於2005年7月7日公開;校外於2006年7月7日公開畢業學年度:93指導教授:莊賦祥.
上部發光有機發光二極體共振腔緩衝層Buffer LayerMicrocavityTop Emission Inverted Light Emitting Diode

莊, 賦祥

上部發光反置型有機發光二極體使用氮化鋁當緩衝層 = Top-Emission Inverted Organic Light Emitting Diode Using Aluminum Nitride as Buffer Layer
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