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不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 = Investigat...

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不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 = Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities.

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities.
作者:	李崇維,
其他團體作者:	國立虎尾科技大學
出版地:	[雲林縣]
出版者:	撰者; 撰者;
出版年:	民96[2007]
面頁冊數:	59面圖,表 : 30公分;
標題:	P-型氮化鎵
標題:	GaN LEDs
電子資源:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0130107-141819
摘要註:	中文摘要近來，透明金屬氧化物在光電產業上的應用越來越為廣泛，尤其是在發光二極體-氮化鎵的電極材料方面，傳統的電極接觸材料常使用高功函數的金屬，如: 鎳、金、鈦等材料來跟P-型的氮化鎵形成歐姆接觸，以利載子的注入。然而由於P-型氮化鎵的內部載子濃度較低因此發光效率差，若再被上層金屬遮光後，則整體亮度下降許多，因此近年來越來越多的研究團隊利用透明導電金屬氧化物來製作氮化鎵的上層電極。目前製作透明金屬氧化物的方法不外乎是利用濺鍍或是電子束蒸鍍的方法來進行，但是在濺鍍的過程中所產生的高能量電漿將會對元件接面造成物理的撞擊傷害進而影響元件特性。因此，在量產上製作氮化鎵的透明電極時，就以電子束蒸鍍為主。而在電子束的蒸鍍源方面，所使用的ITO鍍材又可區分為高密度材料及低密度材料。本研究論文在沈積條件固定不變下，不管是使用高或低密度的ITO鍍材，蒸鍍所獲得之鍍膜鎖其光電特性均非常類似，片電阻值約在7.5~8.5 ohm/sq，而穿透度在可見光範圍內約在85

不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 = Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities.
李, 崇維

不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 = Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities. / 李崇維撰 - [雲林縣] : 撰者, 民96[2007]. - 59面 ; 圖,表 ; 30公分.
參考書目：面.
P-型氮化鎵GaN LEDs

不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 = Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities.
LDR:02333nam0 2200229 450 001 540282
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101 0 $a chi
102 $a cw
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200 1 $a 不同鍍材密度對電子束蒸鍍氧化銦錫薄膜特性之研究 $d Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities. $f 李崇維撰
210 $a [雲林縣] $c 撰者 $d 民96[2007] $c 撰者
215 0 $a 59面 $c 圖,表 $d 30公分
314 $a 指導教授：劉國辰、莊賦祥
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
330 $a 中文摘要近來，透明金屬氧化物在光電產業上的應用越來越為廣泛，尤其是在發光二極體-氮化鎵的電極材料方面，傳統的電極接觸材料常使用高功函數的金屬，如: 鎳、金、鈦等材料來跟P-型的氮化鎵形成歐姆接觸，以利載子的注入。然而由於P-型氮化鎵的內部載子濃度較低因此發光效率差，若再被上層金屬遮光後，則整體亮度下降許多，因此近年來越來越多的研究團隊利用透明導電金屬氧化物來製作氮化鎵的上層電極。目前製作透明金屬氧化物的方法不外乎是利用濺鍍或是電子束蒸鍍的方法來進行，但是在濺鍍的過程中所產生的高能量電漿將會對元件接面造成物理的撞擊傷害進而影響元件特性。因此，在量產上製作氮化鎵的透明電極時，就以電子束蒸鍍為主。而在電子束的蒸鍍源方面，所使用的ITO鍍材又可區分為高密度材料及低密度材料。本研究論文在沈積條件固定不變下，不管是使用高或低密度的ITO鍍材，蒸鍍所獲得之鍍膜鎖其光電特性均非常類似，片電阻值約在7.5~8.5 ohm/sq，而穿透度在可見光範圍內約在85
510 1 $a Investigation of ITO Thin Film Characteristics Using Electron Beam Evaporation with Different Source Densities.
610 0 $a P-型氮化鎵 $a 低密度材料 $a 透明金屬氧化物 $a 高密度材料
610 1 $a GaN LEDs $a ITO $a high density $a low density
700 $a 李 $b 崇維 $3 488979
712 $a 國立虎尾科技大學 $b 工業工程與管理究所 $3 523742
801 0 $a cw $b 虎尾科技大學 $c 20071207 $g CCR
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