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以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication ...
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國立虎尾科技大學
以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
作者:
黃崇傑,
其他團體作者:
國立虎尾科技大學
出版地:
[雲林縣]
出版者:
撰者; 撰者;
出版年:
民96[2007]
面頁冊數:
82面圖,表 : 30公分;
標題:
氧化銦鋅
標題:
IZO
電子資源:
http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0130107-161756
摘要註:
中 文 摘 要TCO透明導電薄膜在光電產業上的應用相當廣泛,可使用於太陽能電池(solar cells)、平面顯示器(flat panel display,FPD)、觸鍵式面板(touch panel)等器材上;但目前透明導電薄膜主要用途,還是被使用作為平面顯示器之透明導電電極。透明導電薄膜的材料,主要是採用在可見光範圍有較高的穿透率的之氧化物半導體,如ITO (tin-doped indium oxide)、IZO(indium zinc oxide)等。目前工業上使用之透明導電薄膜材料為ITO,但在已知透明導電薄膜材料中,銦鋅氧化物-IZO-薄膜,為極具潛力之ITO薄膜的替代材料。和ITO薄膜相較之下,IZO薄膜在低溫下即可被鍍製成穩定的透明導電薄膜,此一特性不論在製備及蝕刻處理上都比ITO薄膜有優勢。本研究之目的即在探討利用磁控濺鍍的方式來製作IZO薄膜,在不同的參數下,觀察薄膜的光電特性。實驗結果顯示,在室溫下,用DC 功率 100 W沈積IZO薄膜,其電阻率可達到< 6E-4Ω-cm,而其穿透度可高於90
以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
黃, 崇傑
以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究
= Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering. / 黃崇傑撰 - [雲林縣] : 撰者, 民96[2007]. - 82面 ; 圖,表 ; 30公分.
參考書目:面.
氧化銦鋅IZO
以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
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以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究
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指導教授:劉國辰、莊賦祥
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參考書目:面
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碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
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中 文 摘 要TCO透明導電薄膜在光電產業上的應用相當廣泛,可使用於太陽能電池(solar cells)、平面顯示器(flat panel display,FPD)、觸鍵式面板(touch panel)等器材上;但目前透明導電薄膜主要用途,還是被使用作為平面顯示器之透明導電電極。透明導電薄膜的材料,主要是採用在可見光範圍有較高的穿透率的之氧化物半導體,如ITO (tin-doped indium oxide)、IZO(indium zinc oxide)等。目前工業上使用之透明導電薄膜材料為ITO,但在已知透明導電薄膜材料中,銦鋅氧化物-IZO-薄膜,為極具潛力之ITO薄膜的替代材料。和ITO薄膜相較之下,IZO薄膜在低溫下即可被鍍製成穩定的透明導電薄膜,此一特性不論在製備及蝕刻處理上都比ITO薄膜有優勢。本研究之目的即在探討利用磁控濺鍍的方式來製作IZO薄膜,在不同的參數下,觀察薄膜的光電特性。實驗結果顯示,在室溫下,用DC 功率 100 W沈積IZO薄膜,其電阻率可達到< 6E-4Ω-cm,而其穿透度可高於90
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Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
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國立虎尾科技大學
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