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以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication ...

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以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
Author:	黃崇傑,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立虎尾科技大學
Place of Publication:	[雲林縣]
Published:	撰者; 撰者;
Year of Publication:	民96[2007]
Description:	82面圖,表 : 30公分;
Subject:	氧化銦鋅
Subject:	IZO
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0130107-161756
Summary:	中文摘要TCO透明導電薄膜在光電產業上的應用相當廣泛，可使用於太陽能電池(solar cells)、平面顯示器(flat panel display，FPD)、觸鍵式面板(touch panel)等器材上；但目前透明導電薄膜主要用途，還是被使用作為平面顯示器之透明導電電極。透明導電薄膜的材料，主要是採用在可見光範圍有較高的穿透率的之氧化物半導體，如ITO (tin-doped indium oxide)、IZO(indium zinc oxide)等。目前工業上使用之透明導電薄膜材料為ITO，但在已知透明導電薄膜材料中，銦鋅氧化物-IZO-薄膜，為極具潛力之ITO薄膜的替代材料。和ITO薄膜相較之下，IZO薄膜在低溫下即可被鍍製成穩定的透明導電薄膜，此一特性不論在製備及蝕刻處理上都比ITO薄膜有優勢。本研究之目的即在探討利用磁控濺鍍的方式來製作IZO薄膜，在不同的參數下，觀察薄膜的光電特性。實驗結果顯示，在室溫下，用DC 功率 100 W沈積IZO薄膜，其電阻率可達到< 6E-4Ω-cm，而其穿透度可高於90

以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
黃, 崇傑

以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering. / 黃崇傑撰 - [雲林縣] : 撰者, 民96[2007]. - 82面 ; 圖,表 ; 30公分.
參考書目：面.
氧化銦鋅IZO

以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
LDR:02124nam0 2200229 450 001 540285
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200 1 $a 以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 $d Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering. $f 黃崇傑撰
210 $a [雲林縣] $c 撰者 $d 民96[2007] $c 撰者
215 0 $a 82面 $c 圖,表 $d 30公分
314 $a 指導教授：劉國辰、莊賦祥
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
330 $a 中文摘要TCO透明導電薄膜在光電產業上的應用相當廣泛，可使用於太陽能電池(solar cells)、平面顯示器(flat panel display，FPD)、觸鍵式面板(touch panel)等器材上；但目前透明導電薄膜主要用途，還是被使用作為平面顯示器之透明導電電極。透明導電薄膜的材料，主要是採用在可見光範圍有較高的穿透率的之氧化物半導體，如ITO (tin-doped indium oxide)、IZO(indium zinc oxide)等。目前工業上使用之透明導電薄膜材料為ITO，但在已知透明導電薄膜材料中，銦鋅氧化物-IZO-薄膜，為極具潛力之ITO薄膜的替代材料。和ITO薄膜相較之下，IZO薄膜在低溫下即可被鍍製成穩定的透明導電薄膜，此一特性不論在製備及蝕刻處理上都比ITO薄膜有優勢。本研究之目的即在探討利用磁控濺鍍的方式來製作IZO薄膜，在不同的參數下，觀察薄膜的光電特性。實驗結果顯示，在室溫下，用DC 功率 100 W沈積IZO薄膜，其電阻率可達到< 6E-4Ω-cm，而其穿透度可高於90
510 1 $a Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
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712 $a 國立虎尾科技大學 $b 工業工程與管理究所 $3 523742
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