以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication ...
國立虎尾科技大學

 

  • 以濺鍍法製備氧化銦鋅透明導電膜及其特性研究 = Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Fabrication and characterization ofIndium-Zinc oxide thin films by sputtering.
    作者: 黃崇傑,
    其他團體作者: 國立虎尾科技大學
    出版地: [雲林縣]
    出版者: 撰者; 撰者;
    出版年: 民96[2007]
    面頁冊數: 82面圖,表 : 30公分;
    標題: 氧化銦鋅
    標題: IZO
    電子資源: http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0130107-161756
    摘要註: 中 文 摘 要TCO透明導電薄膜在光電產業上的應用相當廣泛,可使用於太陽能電池(solar cells)、平面顯示器(flat panel display,FPD)、觸鍵式面板(touch panel)等器材上;但目前透明導電薄膜主要用途,還是被使用作為平面顯示器之透明導電電極。透明導電薄膜的材料,主要是採用在可見光範圍有較高的穿透率的之氧化物半導體,如ITO (tin-doped indium oxide)、IZO(indium zinc oxide)等。目前工業上使用之透明導電薄膜材料為ITO,但在已知透明導電薄膜材料中,銦鋅氧化物-IZO-薄膜,為極具潛力之ITO薄膜的替代材料。和ITO薄膜相較之下,IZO薄膜在低溫下即可被鍍製成穩定的透明導電薄膜,此一特性不論在製備及蝕刻處理上都比ITO薄膜有優勢。本研究之目的即在探討利用磁控濺鍍的方式來製作IZO薄膜,在不同的參數下,觀察薄膜的光電特性。實驗結果顯示,在室溫下,用DC 功率 100 W沈積IZO薄膜,其電阻率可達到< 6E-4Ω-cm,而其穿透度可高於90
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