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以分子動力學研究含缺陷砷化鎵半導體之機械特性 = Mechanical ...

Chin-Tsai Huang

以分子動力學研究含缺陷砷化鎵半導體之機械特性 = Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics
Author:	黃進財,
Secondary Intellectual Responsibility:	方得華,
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	民98[2009]
Edition:	初版
Description:	140面圖 : 30公分;
Subject:	分子動力學
Subject:	奈米壓痕
Subject:	奈米摩潤學
Subject:	機械特性
Subject:	砷化鎵
Subject:	gallium arsenide
Subject:	mechanical characteristic
Subject:	molecular dynamics
Subject:	nanoindentation
Subject:	nanotribology
Online resource:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-2207200922001800

以分子動力學研究含缺陷砷化鎵半導體之機械特性 = Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics
黃, 進財

以分子動力學研究含缺陷砷化鎵半導體之機械特性 = Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics / 黃進財撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民98[2009]. - 140面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
分子動力學奈米壓痕奈米摩潤學機械特性砷化鎵gallium arsenidemechanical characteristicmolecular dynamicsnanoindentationnanotribology

方, 得華

以分子動力學研究含缺陷砷化鎵半導體之機械特性 = Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics
LDR:01299nam0 2200337 450 001 609103
010 0 $b 平裝
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210 $a 雲林縣 $d 民98[2009] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 140面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 方得華
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學機械與機電工程研究所
510 1 $a Mechanical characteristics of gallium arsenide semiconductors with defects using molecular dynamics
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