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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabricatio...

Yi-Feng Lin

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
Author:	林義峯,
Secondary Intellectual Responsibility:	陳文瑞,
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	民98[2009]
Edition:	初版
Description:	90面圖 : 30公分;
Subject:	氮化鎵
Subject:	高電子遷移率電晶體
Subject:	GaN
Subject:	High Electron Mobility Transistor
Online resource:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-1707200900001100

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
林義, 峯

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor / 林義峯撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民98[2009]. - 90面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
氮化鎵高電子遷移率電晶體GaNHigh Electron Mobility Transistor

陳, 文瑞

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
LDR:01059nam a2200265 a 4500 001 609231
010 0 $b 平裝
100 $a 20090717y2009 y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
200 1 $a 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 $d Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor $f 林義峯撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民98[2009] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 90面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 陳文瑞
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
510 1 $a Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
610 0 $a 氮化鎵
610 0 $a 高電子遷移率電晶體
610 1 $a GaN
610 1 $a High Electron Mobility Transistor
681 $a 008.166M $b 4482
700 1 $a 林義 $b 峯 $3 634056
702 $a 陳 $b 文瑞 $3 511964
770 1 $a Yi-Feng Lin $3 634057
772 0 $a Wen-Ray Chen $3 541136
801 0 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20090918
801 1 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20091022
856 4 $u http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-1707200900001100