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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabricatio...

林義, {E5B3AF}

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
作者:	林義{E5B3AF},
其他作者:	陳文瑞,
出版地:	雲林縣
出版者:	國立虎尾科技大學;
出版年:	民98[2009]
面頁冊數:	90面圖 : 30公分;
標題:	氮化鎵
標題:	高電子遷移率電晶體
標題:	GaN
標題:	High Electron Mobility Transistor
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-1707200900001100

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
林義, {E5B3AF}

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor / 林義{E5B3AF}撰 - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民98[2009]. - 90面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
氮化鎵高電子遷移率電晶體GaNHigh Electron Mobility Transistor

陳, 文瑞

氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 = Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
LDR:01010nam0 2200241 450 001 611841
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究 $d Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor $f 林義{E5B3AF}撰
210 $a 雲林縣 $d 民98[2009] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 90面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 陳文瑞
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
510 1 $a Fabrication and study of algan/gan high electron mobility transistor
610 0 $a 氮化鎵
610 0 $a 高電子遷移率電晶體
610 1 $a GaN
610 1 $a High Electron Mobility Transistor
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801 0 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20091012
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