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在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析...
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姬梁文
在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析 = Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
作者:
陳宗勳,
其他作者:
姬梁文,
其他作者:
楊立中,
出版地:
雲林縣
出版者:
國立虎尾科技大學;
出版年:
民99[2010]
版本:
初版
面頁冊數:
95面圖 : 30公分;
標題:
二氧化鉿
標題:
場效電晶體
標題:
氧化鋅
標題:
HfO2
標題:
ZnO
標題:
field-effect transistor
電子資源:
http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-1507201015093400
在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析 = Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
陳, 宗勳
在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析
= Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates / 陳宗勳撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民99[2010]. - 95面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
二氧化鉿場效電晶體氧化鋅HfO2ZnOfield-effect transistor
姬, 梁文
在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析 = Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
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在玻璃與塑膠基板上研製二氧化鉿作為氧化鋅薄膜電晶體的閘極介電層與特性分析
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Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
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陳宗勳撰
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國立虎尾科技大學
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圖
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30公分
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指導教授 : 姬梁文、楊立中
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含參考書目
328
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碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
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Fabrication and Characterization of HfO2 High-K Gate Insulator for Transparent ZnO Thin-Film Transistors on Glass and Plastic Substrates
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二氧化鉿
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圖書館B1F 博碩士論文專區
圖書館B1F 可外借論文區
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預約狀態
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T001624
圖書館B1F 博碩士論文專區
不流通(NON_CIR)
碩士論文(TM)
TM 008.166M 7532 99
一般使用(Normal)
在架
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T001625
圖書館B1F 可外借論文區
不流通(NON_CIR)
一般圖書
008.166M 7532 99
一般使用(Normal)
在架
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2 筆 • 頁數 1 •
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