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具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體...

林泓均

具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體之研究 = = A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體之研究 =/ 林泓均撰.
其他題名:	A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode /
其他題名:	A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode.
作者:	林泓均
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民106.07.,
面頁冊數:	[10], 105面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授：劉代山.
標題:	射頻磁控共濺鍍. -
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-2107201716354700

具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體之研究 = = A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode /
林泓均

具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體之研究 =A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode /A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode.林泓均撰. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民106.07. - [10], 105面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授：劉代山.

含參考書目.Subjects--Topical Terms:

996081
射頻磁控共濺鍍.

具侷限層之氮化鋁-氧化鋅/氧化鋅量子井結構應用於氧化鋅/氮化鎵發光二極體之研究 = = A Study of AlN-ZnO/ZnO Quantum Well Structure with barrier layer Applied to ZnO/GaN Light-Emitting Diode /
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500 $a 指導教授：劉代山.
500 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技碩士班.
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650 # 4 $a 氮化鋁. $3 996080
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