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Silizium-Halbleitertechnologie = Gru...
~
Hilleringmann, Ulrich.
Silizium-Halbleitertechnologie = Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
Silizium-Halbleitertechnologie/ von Ulrich Hilleringmann.
其他題名:
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik /
作者:
Hilleringmann, Ulrich.
面頁冊數:
XI, 275 S. 177 Abb.online resource. :
Contained By:
Springer Nature eBook
標題:
Electronics. -
電子資源:
https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7
ISBN:
9783658234447
Silizium-Halbleitertechnologie = Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik /
Hilleringmann, Ulrich.
Silizium-Halbleitertechnologie
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik /[electronic resource] :von Ulrich Hilleringmann. - 7th ed. 2019. - XI, 275 S. 177 Abb.online resource.
Herstellung von Siliziumscheiben -- Oxidation des dotierten Siliziums -- Lithografie -- Ätztechnik -- Dotiertechniken -- Depositionsverfahren -- Metallisierung und Kontakte -- Scheibenreinigung -- MOS-Technologien zur Schaltungsintegration -- Erweiterungen zur Höchstintegration -- Bipolar-Technologie -- Montage integrierter Schaltungen.
Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Der Inhalt Herstellung von Siliziumscheiben Oxidation des dotierten Siliziums Lithografie Ätztechnik Dotiertechniken Depositionsverfahren Metallisierung und Kontakte Scheibenreinigung MOS-Technologien zur Schaltungsintegration Erweiterungen zur Höchstintegration Bipolar-Technologie Montage integrierter Schaltungen Die Zielgruppen Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Informatik und Physik Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler Der Autor Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
ISBN: 9783658234447
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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Der Inhalt Herstellung von Siliziumscheiben Oxidation des dotierten Siliziums Lithografie Ätztechnik Dotiertechniken Depositionsverfahren Metallisierung und Kontakte Scheibenreinigung MOS-Technologien zur Schaltungsintegration Erweiterungen zur Höchstintegration Bipolar-Technologie Montage integrierter Schaltungen Die Zielgruppen Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Informatik und Physik Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler Der Autor Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
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