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應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =...

李政哲

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =/ 李政哲.
Reminder of title:	Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
remainder title:	Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure.
Author:	李政哲
Published:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民111.01.,
Description:	[7], 30, [3]面 :圖, 表 ; : 30公分.;
Notes:	指導教授: 莊為群.
Subject:	AlN. -
Online resource:	電子資源

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
李政哲

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure.李政哲. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民111.01. - [7], 30, [3]面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 莊為群.

博士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技博士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

996077
AlN.

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
LDR:01005cam a2200217 i 4500 001 1058943
008 220317s2022 ch ak erm 000 0 eng d
035 $a (THES)110NYPI0124002
040 $a NFU $b chi $c NFU $e CCR
041 0 # $a chi $b chi $b eng
084 $a 008.166M $b 4015:2 111 $2 ncsclt
100 1 $a 李政哲 $3 1151260
245 1 0 $a 應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = $b Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure / $c 李政哲.
246 1 1 $a Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure.
250 $a 初版.
260 # $a 雲林縣 : $b 國立虎尾科技大學 , $c 民111.01.
300 $a [7], 30, [3]面 : $b 圖, 表 ; $c 30公分.
500 $a 指導教授: 莊為群.
500 $a 學年度: 110.
502 $a 博士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技博士班.
504 $a 含參考書目.
563 $a (平裝).
650 # 4 $a AlN. $3 996077
650 # 4 $a Raman scattering. $3 1364208
650 # 4 $a GaN epilayer. $3 1365368
650 # 4 $a HEMT. $3 996067
650 # 4 $a 氮化鋁. $3 996080
650 # 4 $a 拉曼散射. $3 1364204
650 # 4 $a 氮化鎵磊晶層. $3 1365367
650 # 4 $a 高電子遷移率電晶體. $3 996071
856 7 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/3me727 $z 電子資源 $2 http