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應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =...

李政哲

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =/ 李政哲.
其他題名:	Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
其他題名:	Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure.
作者:	李政哲
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民111.01.,
面頁冊數:	[7], 30, [3]面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 莊為群.
標題:	高電子遷移率電晶體. -
電子資源:	電子資源

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
李政哲

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 =Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure.李政哲. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民111.01. - [7], 30, [3]面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 莊為群.

博士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技博士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

996071
高電子遷移率電晶體.

應用AlN異質結構提升GaN-based高電子遷移率電晶體之電性研究 = = Improving the Electrical Properties of GaN-based High Electron Mobility Transistors using AlN Heterostructure /
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500 $a 指導教授: 莊為群.
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502 $a 博士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技博士班.
504 $a 含參考書目.
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