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Electro Optical Frequency Modulation on Silicon Integrated Circuits With 1300nm and 1064nm Laser Sources = = Electro-Optical-Frequency-Modulation (EOFM) an siliziumbasierten integrierten Schaltungen mit 1300nm und 1064nm Laser.

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	Electro Optical Frequency Modulation on Silicon Integrated Circuits With 1300nm and 1064nm Laser Sources =/
其他題名:	Electro-Optical-Frequency-Modulation (EOFM) an siliziumbasierten integrierten Schaltungen mit 1300nm und 1064nm Laser.
作者:	Pagano, Carlo.
出版者:	Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, : 2015,
面頁冊數:	240 p.
附註:	Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 79-04, Section: B.
Contained By:	Dissertations Abstracts International79-04B.
標題:	Electrical engineering. -
電子資源:	http://pqdd.sinica.edu.tw/twdaoapp/servlet/advanced?query=10697539
ISBN:	9781392654408

Electro Optical Frequency Modulation on Silicon Integrated Circuits With 1300nm and 1064nm Laser Sources = = Electro-Optical-Frequency-Modulation (EOFM) an siliziumbasierten integrierten Schaltungen mit 1300nm und 1064nm Laser.
Pagano, Carlo.

Electro Optical Frequency Modulation on Silicon Integrated Circuits With 1300nm and 1064nm Laser Sources =Electro-Optical-Frequency-Modulation (EOFM) an siliziumbasierten integrierten Schaltungen mit 1300nm und 1064nm Laser. - Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, 2015 - 240 p.

Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 79-04, Section: B.

Thesis (Eng.D.)--Technische Universitaet Berlin (Germany), 2015.

This item must not be sold to any third party vendors.

Ein zentrales Ziel der modernen Fehleranalyse ist das Probing elektrischer Signale von einzelnen Punkten im Inneren integrierter Schaltkreise. Hierbei ist das mechanische Messverfahren die am weitesten verbreitete Methode. Diese birgt jedoch einige Schwierigkeiten in sich: So ist es z. B. unmoglich, auf spezifische interne Punkte einer Schaltung zuzugreifen, weswegen sich in der Fehleranalyse mit der Zeit kontaktlose Messtechniken immer starker durchgesetzt haben. Auch im Hinblick auf die standig steigende Anzahl von in der Halbleitertechnologie verwendeten Metallschichten weisen kontaktlose Messungen Vorteile auf, da diese ublicherweise von der Ruckseite des Chips her durchgefuhrt werden und somit ertragreicher sind. In der vorliegenden Dissertation wird eine neue, verhaltnismasig einfach umzusetzende laserbasierte Probing-Technik vorgestellt, die sogenannte „Electro Optical Frequency Modulation“ (EOFM). Mit ihr lassen sich elektrische Signale auf der Ruckseite integrierter Schaltkreise aufspuren. Im Gegensatz zu den herkommlichen Verfahren wird hierzu ein Laser-Raster-Mikroskop gemeinsam mit weiteren, in jedem Labor verfugbaren Messgeraten verwendet, beispielsweise mit einem Spektrumanalysator oder, wie in dieser Arbeit, mit einem Lock-In-Verstarker. Fur die experimentelle Analyse im Rahmen dieser Forschungsarbeit wurden Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) der Firma Infineon Technologies AG in einer Schichtdicke von 120 nm benutzt, die mit Laser-Quellen zweier verschiedener Wellenlangen, 1064 nm und 1300 nm, sowie einer Superlumineszenzdiode mit einer Emissionswellenlange von 1300 nm belichtet wurden. Zur Uberprufung der o. g. Analyse wurden daruber hinaus auf Halbleitergrundstrukturen, wie einem p-n-Ubergang in Sperrrichtung und einem Metalloxidhalbleiter-Varaktor (MOS-Varaktor) in Inversion, 1D-Simulationen der Laserbeleuchtung angefertigt. Bei diesen wurden verschiedene Wellenlangen simuliert. Die Absicht bestand darin, die Signale aus den unterschiedlichen Transistorengebieten (Gate und Drain) besser interpretieren zu konnen. Zudem wurde versucht, den hier prasentierten Messaufbau zusatzlich zur Analyse komplexer Schaltkreise zu verwenden. Dies gelang erfolgreich und eroffnet somit die Moglichkeit, die EOFM-Technik auch in Zukunft anzuwenden.

ISBN: 9781392654408Subjects--Topical Terms:

596380
Electrical engineering.
Subjects--Index Terms:

Contactless measurement

Electro Optical Frequency Modulation on Silicon Integrated Circuits With 1300nm and 1064nm Laser Sources = = Electro-Optical-Frequency-Modulation (EOFM) an siliziumbasierten integrierten Schaltungen mit 1300nm und 1064nm Laser.
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500 $a Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 79-04, Section: B.
500 $a Advisor: Boit, Christian.
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520 $a Ein zentrales Ziel der modernen Fehleranalyse ist das Probing elektrischer Signale von einzelnen Punkten im Inneren integrierter Schaltkreise. Hierbei ist das mechanische Messverfahren die am weitesten verbreitete Methode. Diese birgt jedoch einige Schwierigkeiten in sich: So ist es z. B. unmoglich, auf spezifische interne Punkte einer Schaltung zuzugreifen, weswegen sich in der Fehleranalyse mit der Zeit kontaktlose Messtechniken immer starker durchgesetzt haben. Auch im Hinblick auf die standig steigende Anzahl von in der Halbleitertechnologie verwendeten Metallschichten weisen kontaktlose Messungen Vorteile auf, da diese ublicherweise von der Ruckseite des Chips her durchgefuhrt werden und somit ertragreicher sind. In der vorliegenden Dissertation wird eine neue, verhaltnismasig einfach umzusetzende laserbasierte Probing-Technik vorgestellt, die sogenannte „Electro Optical Frequency Modulation“ (EOFM). Mit ihr lassen sich elektrische Signale auf der Ruckseite integrierter Schaltkreise aufspuren. Im Gegensatz zu den herkommlichen Verfahren wird hierzu ein Laser-Raster-Mikroskop gemeinsam mit weiteren, in jedem Labor verfugbaren Messgeraten verwendet, beispielsweise mit einem Spektrumanalysator oder, wie in dieser Arbeit, mit einem Lock-In-Verstarker. Fur die experimentelle Analyse im Rahmen dieser Forschungsarbeit wurden Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) der Firma Infineon Technologies AG in einer Schichtdicke von 120 nm benutzt, die mit Laser-Quellen zweier verschiedener Wellenlangen, 1064 nm und 1300 nm, sowie einer Superlumineszenzdiode mit einer Emissionswellenlange von 1300 nm belichtet wurden. Zur Uberprufung der o. g. Analyse wurden daruber hinaus auf Halbleitergrundstrukturen, wie einem p-n-Ubergang in Sperrrichtung und einem Metalloxidhalbleiter-Varaktor (MOS-Varaktor) in Inversion, 1D-Simulationen der Laserbeleuchtung angefertigt. Bei diesen wurden verschiedene Wellenlangen simuliert. Die Absicht bestand darin, die Signale aus den unterschiedlichen Transistorengebieten (Gate und Drain) besser interpretieren zu konnen. Zudem wurde versucht, den hier prasentierten Messaufbau zusatzlich zur Analyse komplexer Schaltkreise zu verwenden. Dies gelang erfolgreich und eroffnet somit die Moglichkeit, die EOFM-Technik auch in Zukunft anzuwenden.
520 $a Probing integrated circuits to obtain signal waveforms at various nodes is one of the aims of the modern failure analysis. Mechanical probing is the most widely employed way for these measurements, but it presents several limits such as difficult access to specific locations inside the device. As a result, contactless measurement techniques have become more and more common. Moreover, because of the increasing number of metallization layers, such measurements are often performed from the backside of the chip. In this work, a new and simple laser-based technique for the detection of the signals from the backside of integrated circuits will be presented: the Electro Optical Frequency Modulation (EOFM). Differently to the conventional systems, a Laser Scanning Microscope (LSM) has been employed in combination with measurement instruments available in every electronics laboratory, such as a lock-in amplifier (used in this work) or a spectrum analyzer. With the aim of understanding the different signal signatures coming from different regions of a single transistor (gate and drain), 1D-Simulations of the laser illumination on elementary structures such as, a reverse pn-junction and a MOS-varactor in inversion, have been performed considering different wavelengths. The experimental analyses were performed on MOS, transistors manufactured in 120-nm-technology by Infineon Technologies AG, considering laser sources with two different wavelengths, 1064 nm and 1300 nm, and a super luminescence emission diode (SLED) source at 1300 nm. Finally, the setup has been successfully tested also on more complex circuits which suggest the suitable future utilization of this technique.
590 $a School code: 1119.
650 4 $a Electrical engineering. $3 596380
653 $a Contactless measurement
690 $a 0544
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790 $a 1119
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