• GaN transistor modeling for RF and power electronics : = using the ASM-HEMT model /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: GaN transistor modeling for RF and power electronics :/ Yogesh Singh Chauhan, Ahtisham Ul Haq Pampori, Sheikh Aamir Ahsan.
    其他題名: using the ASM-HEMT model /
    作者: Chauhan, Yogesh Singh,
    其他作者: Ahsan, Sheikh Aamir,
    出版者: Cambridge, MA, United States :Woodhead Publishing, : c2024.,
    面頁冊數: xii, 247 p. :ill. (some col.) ; : 23 cm.;
    標題: Gallium nitride. -
    ISBN: 9780323998710 (pbk.) :
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E049057 圖書館3F 書庫 一般圖書(BOOK) 一般圖書 621.381528 G1951 2024 一般使用(Normal) 在架 0
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