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上發光型量子點電致發光二極體之製作 = = Fabrication of...

連偉成

上發光型量子點電致發光二極體之製作 = = Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	上發光型量子點電致發光二極體之製作 =/ 連偉成.
其他題名:	Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes /
其他題名:	Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes.
作者:	連偉成
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民113.06.,
面頁冊數:	[8], 60面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 莊賦祥, 廖得照.
標題:	Top-emission light-emitting diode. -
電子資源:	電子資源

上發光型量子點電致發光二極體之製作 = = Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes /
連偉成

上發光型量子點電致發光二極體之製作 =Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes /Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes.連偉成. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民113.06. - [8], 60面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 莊賦祥, 廖得照.

碩士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技碩士班.

含參考書目.

本論文研究上發光型量子點發光二極體，探討各層材料，使量子點上發光二極體成功發光。元件結構為Ag (18 nm)/MoO3 (10 nm)/TCTA (60 nm)/QD/TmPyPB (X nm)/LiF (1.2 nm)/Al (190 nm)，量子點上發光二極體需要使用高反射係數的材料作為陽極，而鋁在可見光波段的高反射率適合作為元件的反射式陽極。Ag的功函數為4.26 eV，由於銀的功函數和電洞傳輸層之間的能階相差較大，因此使用MoO3 (3 nm)作為電洞注入層（HIL）。挑選合適的電子傳輸層（ETL）材料，如：ZnO、TmPyPB、…等，將電子有效的傳輸至QD材料使其發光，並透過改變ETL的厚度提升元件發光效率。本論文使用的量子點波長為513 nm，由於上發光元件會產生微共振腔效應使發光波長紅移，因此透過改變各層厚度可以減少發光波長紅移的現象，最終製作出亮度為553.3 cd/m2，電流效率為1.798 cd/A之綠光之量子點上發光二極體。.

(平裝)Subjects--Topical Terms:

1449877
Top-emission light-emitting diode.

上發光型量子點電致發光二極體之製作 = = Fabrication of top-emission quantum dots electroluminescent diodes /
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520 3 $a This paper studies the top-emission quantum dot light-emitting diodes and explores the materials of each layer to make the light-emitting diodes on the quantum dots successfully emit light. The component structure is Ag (18 nm)/MoO3 (10 nm)/TCTA (60 nm)/QD/TmPyPB (X nm)/LiF (1.2 nm)/Al (190 nm), top-emission quantum dot light-emitting diodes require the use of materials with high reflectivity as the anode, and aluminum’s high reflectivity in the visible light band is suitable as a reflective anode for components. The work functions of Ag is 4.26 eV respectively. Due to the large difference between the work function of silver and the energy level between the hole transport layer, MoO3 (10 nm) is used as the hole injection layer (HIL). Suitable electron transport layer (ETL) materials, such as: ZnO, TmPyPB, etc., can effectively transport holes to the QD material to make it emit light, and improve the luminous efficiency of the device by changing the thickness of the ETL. In this paper, the quantum dots used have a wavelength of 513 nm. Due to the microcavity effect produced by the top-emitting device, the emission wavelength experiences a red shift. By altering the thickness of each layer, the red shift of the emission wavelength can be reduced. Ultimately, a green quantum dot light-emitting diode with a brightness of 553.3 cd/m² and a current efficiency of 1.798 cd/A was fabricated..
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