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錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 = = Study on tin-doped g...
~
鄭暐泓
錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 = = Study on tin-doped gallium oxide thin films /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 =/ 鄭暐泓.
其他題名:
Study on tin-doped gallium oxide thin films /
其他題名:
Study on tin-doped gallium oxide thin films.
作者:
鄭暐泓
出版者:
雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民113.07.,
面頁冊數:
[8], 53面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:
指導教授: 雷伯薰.
標題:
peroxide. -
電子資源:
電子資源
錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 = = Study on tin-doped gallium oxide thin films /
鄭暐泓
錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 =
Study on tin-doped gallium oxide thin films /Study on tin-doped gallium oxide thin films.鄭暐泓. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民113.07. - [8], 53面 :圖, 表 ;30公分.
指導教授: 雷伯薰.
碩士論文--國立虎尾科技大學光電工程系光電與材料科技碩士班.
含參考書目.
本論文以氯化鎵(GaCl3)飽和溶液為鎵源、過氧化氫(H2O2)為氧源並二氯化錫(SnCl2)為錫摻雜源製作n型氧化鎵(n-Ga2O3)旋塗溶液,並以旋轉塗佈方式分別在玻璃基板、矽基板與藍寶石基板上成長錫摻雜n型氧化鎵薄膜,最後再以高溫爐管進行退火以改善薄膜特性。先以不同莫爾數的二氯化錫粉末、氯化鎵粉末以及過氧化氫溶液配置不同錫摻雜n型氧化鎵(n-Ga2O3)旋塗溶液進行薄膜成長,接著以高退火溫度來改善薄膜的光電特性。在薄膜特性分析部分,以掃描式電子顯微鏡(SEM) 、能量色散X-射線光譜(EDX) 、X射線繞射儀(XRD)分析薄膜的組成與結晶結構,以霍爾量測系統、紫外線-可見光光譜儀(UV-Vis Spectrum)分析探討薄膜之光電特性。.
(平裝)Subjects--Topical Terms:
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錫摻雜氧化鎵薄膜之研製 = = Study on tin-doped gallium oxide thin films /
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本論文以氯化鎵(GaCl3)飽和溶液為鎵源、過氧化氫(H2O2)為氧源並二氯化錫(SnCl2)為錫摻雜源製作n型氧化鎵(n-Ga2O3)旋塗溶液,並以旋轉塗佈方式分別在玻璃基板、矽基板與藍寶石基板上成長錫摻雜n型氧化鎵薄膜,最後再以高溫爐管進行退火以改善薄膜特性。先以不同莫爾數的二氯化錫粉末、氯化鎵粉末以及過氧化氫溶液配置不同錫摻雜n型氧化鎵(n-Ga2O3)旋塗溶液進行薄膜成長,接著以高退火溫度來改善薄膜的光電特性。在薄膜特性分析部分,以掃描式電子顯微鏡(SEM) 、能量色散X-射線光譜(EDX) 、X射線繞射儀(XRD)分析薄膜的組成與結晶結構,以霍爾量測系統、紫外線-可見光光譜儀(UV-Vis Spectrum)分析探討薄膜之光電特性。.
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A treatment solution composed of a saturated gallium chloride solution (GaCl3) as the gallium source, a diluted hydrogen peroxide (H2O2) as the oxygen source, and a tin chloride (SnCl2) solution as the doping source was prepared to grow n-type gallium oxide (Ga2O3) thin films in this thesis. The treatment solution was spin-coated on the glass, silicon, and sapphire substrates. The n-type Ga2O3 thin films were formed on these substrates by flowing thermal annealing process. To obtain the optimal n-type Ga2O3 thin film, varied mole number of SnCl2 and GaCl3 powder, and changed concentration of H2O2 aqueous solution were used to prepare the treatment solutions. A thermal annealing process with different annealing temperature was then applied to the as-grown thin films to improve the crystalline, optical, and electrical properties of n-type Ga2O3 thin films. These properties were achieved by SEM, EDX, XRD, Hall measurement, and UV-Vis Spectrum system..
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