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電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 = Fabricat...

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電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 = Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation.

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation.
Author:	黃孟書,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立虎尾科技大學
Place of Publication:	[雲林縣]
Published:	撰者; 撰者;
Year of Publication:	民96[2007]
Description:	63面圖,表 : 30公分;
Subject:	ITO
Subject:	加速電壓
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0129107-174948
Summary:	中文摘要氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)最目前廣泛使用的透明導電材料。由於其導電性佳、在可見光區域的穿透率高、在紫外光區具有高吸收等特性。同時在化學上的性質穩定性佳，隨著光電產業的快速成長，被相當廣泛的應用著。本論文探討以電子束蒸發法將ITO鍍於玻璃試片上沉積透明導電膜。在製程中分別調整及控制氧流量、製程基板溫度、膜層厚度以求較佳參數，同時調整改變電子束的加速電壓，來探討各種參數變化對ITO透明導電膜之電性及光性的影響。本論文對各參數對薄膜品質之影響做一系統性之探討。本論文之研究，在適當的參數控制下，在波長470nm的穿透率均在95

電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 = Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation.
黃, 孟書

電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 = Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation. / 黃孟書撰 - [雲林縣] : 撰者, 民96[2007]. - 63面 ; 圖,表 ; 30公分.
參考書目：面.
ITO加速電壓

電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 = Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation.
LDR:01950nam0 2200229 450 001 540280
010 0 $b 精裝
100 $a 20071207y2007 k y0chiy09 e
101 0 $a chi
102 $a cw
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200 1 $a 電子束蒸鍍製程參數對ITO透明導電膜之光電特性研究 $d Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation. $f 黃孟書撰
210 $a [雲林縣] $c 撰者 $d 民96[2007] $c 撰者
215 0 $a 63面 $c 圖,表 $d 30公分
314 $a 指導教授：武東星、莊賦祥
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
330 $a 中文摘要氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)最目前廣泛使用的透明導電材料。由於其導電性佳、在可見光區域的穿透率高、在紫外光區具有高吸收等特性。同時在化學上的性質穩定性佳，隨著光電產業的快速成長，被相當廣泛的應用著。本論文探討以電子束蒸發法將ITO鍍於玻璃試片上沉積透明導電膜。在製程中分別調整及控制氧流量、製程基板溫度、膜層厚度以求較佳參數，同時調整改變電子束的加速電壓，來探討各種參數變化對ITO透明導電膜之電性及光性的影響。本論文對各參數對薄膜品質之影響做一系統性之探討。本論文之研究，在適當的參數控制下，在波長470nm的穿透率均在95
510 1 $a Fabrication and characterization of Indium Tin Oxide transparent conductive films by Electron-Beam Evaporation.
610 1 $a ITO $a Indium Ｔin Oxide $a conductivity $a e-beam $a transmittance
610 0 $a 加速電壓 $a 氧化銦錫 $a 氧化銦錫 $a 穿透率 $a 透明導電膜 $a 電子束蒸鍍法
700 $a 黃 $b 孟書 $3 489050
712 $a 國立虎尾科技大學 $b 工業工程與管理究所 $3 523742
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