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以新式光電化學氧化法成長砷化鎵金氧半場效電晶體閘極氧化層之特性研究 = ...

李欣縈

以新式光電化學氧化法成長砷化鎵金氧半場效電晶體閘極氧化層之特性研究 = Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method
Author:	林元富,
Secondary Intellectual Responsibility:	李欣縈,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立虎尾科技大學
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	民96[2007]
Edition:	初版
Description:	85面圖,表 : 30公分;
Subject:	光電化學氧化法
Subject:	MOS
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0724107-164000
Summary:	本論文主要目的是以新式光電化學法(photoelectrochemical oxidation method)成長直接於n型砷化鎵表面成長氧化層作為金氧半場效電晶體(MOSFET)閘極氧化層之特性研究。於論文中，探討以不同光電化學氧化條件成長n型砷化鎵的氧化層，其中調整電解液之酸鹼值，以控制n型砷化鎵的成長速率，並對氧化層進行熱處理，在氧氣環境下，分別以200、300及400oC分別熱處理10、20、30及40分鐘，藉由氧化層厚度變化分析，發現於熱處理30分鐘後氧化層厚度趨於穩定，並由原子力顯微鏡(AFM)分析可得該氧化層經300oC熱處理後可得最佳之表面平整度，並經由能量散射光譜儀(EDX)、X光繞射分析儀(XRD)、歐傑電子能譜儀(AES)及X光光電子能譜儀(XPS)分析確認該氧化層為三氧化二鎵(Ga2O3)及三氧化二砷(As2O3)所組成，並經X光光電子能譜儀分析可得經氧氣熱處理200、300及400oC，其氧化層之氧化態有&

以新式光電化學氧化法成長砷化鎵金氧半場效電晶體閘極氧化層之特性研究 = Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method
林, 元富

以新式光電化學氧化法成長砷化鎵金氧半場效電晶體閘極氧化層之特性研究 = Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method / 林元富撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民96[2007]. - 85面 ; 圖,表 ; 30公分.
光電化學氧化法MOS

李, 欣縈

以新式光電化學氧化法成長砷化鎵金氧半場效電晶體閘極氧化層之特性研究 = Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method
LDR:02100nam0 2200253 450 001 540307
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205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民96[2007] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 85面 $c 圖,表 $d 30公分
314 $a 指導教授：李欣縈
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
330 $a 本論文主要目的是以新式光電化學法(photoelectrochemical oxidation method)成長直接於n型砷化鎵表面成長氧化層作為金氧半場效電晶體(MOSFET)閘極氧化層之特性研究。於論文中，探討以不同光電化學氧化條件成長n型砷化鎵的氧化層，其中調整電解液之酸鹼值，以控制n型砷化鎵的成長速率，並對氧化層進行熱處理，在氧氣環境下，分別以200、300及400oC分別熱處理10、20、30及40分鐘，藉由氧化層厚度變化分析，發現於熱處理30分鐘後氧化層厚度趨於穩定，並由原子力顯微鏡(AFM)分析可得該氧化層經300oC熱處理後可得最佳之表面平整度，並經由能量散射光譜儀(EDX)、X光繞射分析儀(XRD)、歐傑電子能譜儀(AES)及X光光電子能譜儀(XPS)分析確認該氧化層為三氧化二鎵(Ga2O3)及三氧化二砷(As2O3)所組成，並經X光光電子能譜儀分析可得經氧氣熱處理200、300及400oC，其氧化層之氧化態有&
510 1 $a Investigation of the GaAs MOSFETs gate oxide by using photoelectrochemical oxidation method
610 0 $a 光電化學氧化法 $a 金氧半二極體 $a 金氧半場效電晶體
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712 $a 國立虎尾科技大學 $b 工業工程與管理究所 $3 523742
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