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陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 = D...

Jun-Hao Chen

陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 = Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation
作者:	陳君濠,
其他作者:	蔡丕椿,
出版地:	雲林縣
出版者:	國立虎尾科技大學;
出版年:	民98[2009]
版本:	初版
面頁冊數:	159面圖 : 30公分;
標題:	氮化鈦矽
標題:	碳氮化鈦矽
標題:	陰極電弧電漿蒸鍍
標題:	Ti-Si-C-N
標題:	Ti-Si-N
標題:	cathodic arc plasma evaporation
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-2707200913491800

陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 = Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation
陳, 君濠

陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 = Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation / 陳君濠撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民98[2009]. - 159面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
氮化鈦矽碳氮化鈦矽陰極電弧電漿蒸鍍Ti-Si-C-NTi-Si-Ncathodic arc plasma evaporation

蔡, 丕椿

陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 = Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation
LDR:01179nam0 2200289 450 001 609124
010 0 $b 平裝
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101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
200 1 $a 陰極電弧電漿沉積Ti-Si-N、Ti-Si-C-N薄膜及特性研究 $d Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation $f 陳君濠撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民98[2009] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 159面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 蔡丕椿
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與綠色能源工程研究所
510 1 $a Deposition and characterization of ti-si-n, ti-si-c-n films by cathodic arc plasma evaporation
610 0 $a 氮化鈦矽
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