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以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 = Enhancemen...

Po-Hsun Lei

以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 = Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method
作者:	李元智,
其他作者:	雷伯薰,
出版地:	雲林縣
出版者:	國立虎尾科技大學;
出版年:	民100[2011]
版本:	初版
面頁冊數:	76面圖 : 30公分;
標題:	氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體
標題:	三五族太陽能電池
標題:	InGaN/GaN light emitting diodes
標題:	Zinc oxide (ZnO)
標題:	textured window layer
標題:	liquid phase deposition (LPD) method
標題:	III-V solar cell
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-1907201119305400

以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 = Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method
李, 元智

以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 = Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method / 李元智撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民100[2011]. - 76面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體三五族太陽能電池InGaN/GaN light emitting diodesZinc oxide (ZnO)textured window layerliquid phase deposition (LPD) methodIII-V solar cell

雷, 伯薰

以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 = Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method
LDR:01382nam0 2200313 450 001 674248
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200 1 $a 以液相沉積法成長氧化鋅提升光電半導體元件之效率 $d Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method $f 李元智撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民100[2011] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 76面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 雷伯薰
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
510 1 $a Enhancement of Efficiency of Optoelectronic Semiconductor Devices Using Textured Zinc Oxide prepared by Liquid Phase Deposition Method
610 # 0 $a 氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體
610 # 0 $a 三五族太陽能電池
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801 0 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20111025
801 1 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20111108
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