國立虎尾科技大學 |

登入

回首頁

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Stu...

林益銓

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 =/ 林益銓撰.
其他題名:	A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
其他題名:	A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
作者:	林益銓
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民102.07.,
面頁冊數:	[9] ,79面 :圖 ; : 30公分.;
附註:	指導教授：劉代山.
標題:	電漿增強化學氣相沉積法. -
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-0608201317161600

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
林益銓

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 =A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.林益銓撰. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民102.07. - [9] ,79面 :圖 ;30公分.

指導教授：劉代山.

含參考書目.Subjects--Topical Terms:

998644
電漿增強化學氣相沉積法.

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
LDR:00914nam a2200181 i 450 001 758027
008 131014s2013 ch a erm 000 0 chi d
040 $a NFU $b chi $c NFU $e CCR
041 0 # $a chi $b chi $b eng
084 $a 008.166M $b 4488:2 102 $2 ncsclt
100 1 $a 林益銓 $q (Yi-Cyuan Lin) $3 918989
245 1 0 $a 以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = $b A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition / $c 林益銓撰.
246 3 1 $a A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
250 $a 初版.
260 # $a 雲林縣 : $b 國立虎尾科技大學 , $c 民102.07.
300 $a [9] ,79面 : $b 圖 ; $c 30公分.
500 $a 指導教授：劉代山.
500 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所.
504 $a 含參考書目.
650 # 4 $a 電漿增強化學氣相沉積法. $3 998644
650 # 4 $a 氮氧化矽. $3 998643
650 # 4 $a 氣體阻障層. $3 998642
650 # 4 $a 水氣滲透率. $3 996118
650 # 4 $a plasma-enhanced chemical vapor deposition. $3 996086
650 # 4 $a silicon oxynitride. $3 998641
650 # 4 $a gas barrier layer. $3 998640
650 # 4 $a WVTR. $3 998639
856 4 # $u http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-0608201317161600