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以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Stu...

林益銓

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 =/ 林益銓撰.
Reminder of title:	A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
remainder title:	A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
Author:	林益銓
Published:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民102.07.,
Description:	[9] ,79面 :圖 ; : 30公分.;
Notes:	指導教授：劉代山.
Subject:	電漿增強化學氣相沉積法. -
Online resource:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-0608201317161600

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
林益銓

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 =A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.林益銓撰. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民102.07. - [9] ,79面 :圖 ;30公分.

指導教授：劉代山.

含參考書目.Subjects--Topical Terms:

998644
電漿增強化學氣相沉積法.

以電漿增強化學氣相沉積法製備氮氧化矽氣體阻障層之研究 = = A Study on the Preparation of Silicon Oxynitride Gas Barrier by Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition /
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500 $a 指導教授：劉代山.
500 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所.
504 $a 含參考書目.
650 # 4 $a 電漿增強化學氣相沉積法. $3 998644
650 # 4 $a 氮氧化矽. $3 998643
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650 # 4 $a 水氣滲透率. $3 996118
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