以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 ...
翁智彥

 

  • 以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 = = Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 =/ 翁智彥撰.
    其他題名: Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /
    其他題名: Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si.
    作者: 翁智彥
    出版者: 雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民106.07.,
    面頁冊數: [13], 109面 :圖, 表 ; : 30公分.;
    附註: 指導教授:方昭訓.
    標題: 電化學原子層沉積. -
    電子資源: http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-2208201701343300
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  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
T012236 圖書館B1F 博碩士論文專區 不流通(NON_CIR) 碩士論文(TM) TM 008.152M 8080 106 一般使用(Normal) 在架 0
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