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以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 ...

翁智彥

以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 = = Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 =/ 翁智彥撰.
Reminder of title:	Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /
remainder title:	Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si.
Author:	翁智彥
Published:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民106.07.,
Description:	[13], 109面 :圖, 表 ; : 30公分.;
Notes:	指導教授：方昭訓.
Subject:	Cu Interconnect. -
Online resource:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-2208201701343300

以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 = = Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /
翁智彥

以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 =Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si.翁智彥撰. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民106.07. - [13], 109面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授：方昭訓.

含參考書目.Subjects--Topical Terms:

1385909
Cu Interconnect.

以脈衝鉛低電位沉積在Ru/pattern/Si基板上製備高填孔性銅薄膜 = = Use of Pulse Pb-UPDs Fabricates a High Gap-Filling Cu Film on Trenched Ru/pattern/Si /
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500 $a 指導教授：方昭訓.
500 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.
504 $a 含參考書目.
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