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IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2...

林宏儒

IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 = = The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 =/ 林宏儒.
其他題名:	The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films /
其他題名:	The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films.
作者:	林宏儒
出版者:	雲林縣國立虎尾科技大學, : 民107.06.,
面頁冊數:	[13], 88 面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 楊立中.
標題:	Absorber Layer. -
電子資源:	電子資源

IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 = = The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films /
林宏儒

IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 =The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films /The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films.林宏儒. - 初版. - 雲林縣國立虎尾科技大學,民107.06. - [13], 88 面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 楊立中.

碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

1000638
Absorber Layer.

IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 = = The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films /
LDR:00981cam a2200217 i 4500 001 891737
008 181012s2018 ch ak frm 000 0 chi d
035 $a (THES)106NYPI0159005
040 $a NFU $b chi $c NFU $e CCR
041 0 # $a chi $b chi $b eng
084 $a 008.152M $b 4432:3 107 $2 ncsclt
100 1 $a 林宏儒 $q (Hong-Ru Lin) $3 1124397
245 1 0 $a IV族元素Si含量對非真空塗佈型I-III-VI Cu(InGa)Se2化合物薄膜之影響 = $b The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films / $c 林宏儒.
246 1 1 $a The Effects of IV Si Element on the Non-vacuum I-III-VI Cu(InGa)Se2 Compound Thin Films.
250 $a 初版.
260 # $a 雲林縣 $b 國立虎尾科技大學, $c 民107.06.
300 $a [13], 88 面 : $b 圖, 表 ; $c 30公分.
500 $a 指導教授: 楊立中.
500 $a 學年度: 106.
502 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.
504 $a 含參考書目.
563 $a (平裝).
650 # 4 $a Absorber Layer. $3 1000638
650 # 4 $a Non-vacuum. $3 1000637
650 # 4 $a Chalcopyrite. $3 1000636
650 # 4 $a Precursor. $3 1000655
650 # 4 $a CuInGaSe. $3 1049827
650 # 4 $a 吸收層. $3 1000643
650 # 4 $a 非真空. $3 1000642
650 # 4 $a 黃銅礦結構. $3 1000641
650 # 4 $a 前驅層. $3 1000661
650 # 4 $a 銅銦鎵硒. $3 1011372
856 7 # $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/2dnmff $z 電子資源 $2 http