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應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 = = Development o...

劉浩睿

應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 = = Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 =/ 劉浩睿.
其他題名:	Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT /
其他題名:	Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT.
作者:	劉浩睿
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民109.07.,
面頁冊數:	[8], 42面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 劉煥彩.
標題:	Ringing Effect. -
電子資源:	電子資源

應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 = = Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT /
劉浩睿

應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 =Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT /Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT.劉浩睿. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民109.07. - [8], 42面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 劉煥彩.

碩士論文--國立虎尾科技大學電機工程系碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

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Ringing Effect.

應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 = = Development of High-Frequency Half-Bridge Converter with GaN HEMT /
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500 $a 指導教授: 劉煥彩.
500 $a 學年度: 108.
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504 $a 含參考書目.
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650 # 4 $a 振鈴效應. $3 1252033
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