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以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 = Prepar...

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以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 = Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets
Author:	陳慧津,
Secondary Intellectual Responsibility:	方昭訓,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立虎尾科技大學
Place of Publication:	雲林縣
Published:	國立虎尾科技大學;
Year of Publication:	民96[2007]
Edition:	初版
Description:	124面圖,表 : 30公分;
Subject:	反應性磁控濺鍍
Subject:	indium zinc oxide
Online resource:	http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0724107-173204
Summary:	本研究以反應性磁控共濺鍍系統利用銦靶及鋅靶在康寧Eagle2000玻璃基板上製備高導電度及高穿透率的氧化銦鋅(IZO)透明導電薄膜，期能取代傳統陶瓷靶材濺鍍透明導電膜之技術，以降低靶材的成本與增進大面積製備薄膜之可行性。藉由改變氧氣分壓及基板溫度製備不同鋅原子比例(Zn/(Zn+In) at.

以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 = Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets
陳, 慧津

以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 = Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets / 陳慧津撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民96[2007]. - 124面 ; 圖,表 ; 30公分.
反應性磁控濺鍍indium zinc oxide

方, 昭訓

以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 = Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets
LDR:01608nam0 2200253 450 001 540344
010 0 $b 平裝
100 $a 20090416h akaa0chia50020302ba
101 0 $a chi
102 $a cw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 以金屬靶反應性磁控共濺鍍製備氧化銦鋅透明導電薄膜之研究 $d Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets $f 陳慧津撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民96[2007] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 124面 $c 圖,表 $d 30公分
314 $a 指導教授：方昭訓
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所
330 $a 本研究以反應性磁控共濺鍍系統利用銦靶及鋅靶在康寧Eagle2000玻璃基板上製備高導電度及高穿透率的氧化銦鋅(IZO)透明導電薄膜，期能取代傳統陶瓷靶材濺鍍透明導電膜之技術，以降低靶材的成本與增進大面積製備薄膜之可行性。藉由改變氧氣分壓及基板溫度製備不同鋅原子比例(Zn/(Zn+In) at.
510 1 $a Preparation and Properties of the Indium Zinc Oxide by Reactive Magnetron Co-sputtering using Indium and Zinc Metallic Targets
610 0 $a 反應性磁控濺鍍 $a 氧化銦鋅 $a 透明導電膜 $a 金屬靶
610 1 $a indium zinc oxide $a metallic target $a reactive magnetron co-sputtering $a transparent conducting oxide
681 $a 008.166M $b 7553
700 $a 陳 $b 慧津 $3 420730
702 $a 方 $b 昭訓 $3 487549
712 $a 國立虎尾科技大學 $b 工業工程與管理究所 $3 523742
770 $a Hui-Chin Chen $3 586612
772 $a Jau-Shiung Fang $3 538184
801 0 $a cw $b 虎尾科技大學 $c 20071207 $g CCR
801 2 $a cw $b 虎尾科技大學 $c 20090416 $g CCR
856 7 $u http://140.130.12.251/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0724107-173204