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鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 = Study of ti an...

洪政豪

鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 = Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices
作者:	邱閔聖,
其他作者:	洪政豪,
其他作者:	鄭錦隆,
出版地:	雲林縣
出版者:	國立虎尾科技大學;
出版年:	民97[2008]
版本:	初版
面頁冊數:	145面圖 : 30公分;
標題:	後沈積熱處理
標題:	氮化鉿
標題:	氮化鉿鈦鉭
標題:	高介電係數材料
標題:	HfOxNy
標題:	HfTiTaON
標題:	High-k materials
標題:	post-deposition annealing
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-3007200810314900

鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 = Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices
邱, 閔聖

鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 = Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices / 邱閔聖撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民97[2008]. - 145面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
後沈積熱處理氮化鉿氮化鉿鈦鉭高介電係數材料HfOxNyHfTiTaONHigh-k materialspost-deposition annealing

洪, 政豪

鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 = Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices
LDR:01230nam a2200313 a 4500 001 549202
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 鈦鉭摻雜氮化鉿在前瞻金氧半元件特性研究 $d Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices $f 邱閔聖撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民97[2008] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 145面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 洪政豪、鄭錦隆
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學機械與機電工程研究所
510 1 $a Study of ti and ta-doped hfoxny on characteristics of advanced metal-oxide-semiconductor devices
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