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具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 ...

Che-Jui Hsu

具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 = Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer
作者:	許哲睿,
其他作者:	鄭錦隆,
其他作者:	鄭錦聰,
出版地:	雲林縣
出版者:	國立虎尾科技大學;
出版年:	民99[2010]
版本:	初版
面頁冊數:	86面圖 : 30公分;
標題:	氮氧化鉿鑭
標題:	氮氧化鉿鑭鈦
標題:	濺鍍機
標題:	電荷補捉層
標題:	非揮發性記憶體元件
標題:	高介電係數材料
標題:	Charge Trapping Layer
標題:	HfLaOxNy
標題:	HfLaTiON
標題:	High-k Dielectrics
標題:	Nonvolatile Memory Devices
標題:	Sputter
電子資源:	http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-0806201016502700

具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 = Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer
許, 哲睿

具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 = Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer / 許哲睿撰 - 初版. - 雲林縣 : 國立虎尾科技大學, 民99[2010]. - 86面 ; 圖 ; 30公分.
含參考書目.
氮氧化鉿鑭氮氧化鉿鑭鈦濺鍍機電荷補捉層非揮發性記憶體元件高介電係數材料Charge Trapping LayerHfLaOxNyHfLaTiONHigh-k DielectricsNonvolatile Memory DevicesSputter

鄭, 錦隆

具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 = Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer
LDR:01470nam0 2200361 450 001 649412
010 0 $b 平裝
100 $a 20100611y2010 y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
200 1 $a 具HfLaTiON電荷捕捉層之前瞻金氧半結構非揮發性記憶體元件特性研究 $d Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer $f 許哲睿撰
205 $a 初版
210 $a 雲林縣 $d 民99[2010] $c 國立虎尾科技大學
215 0 $a 86面 $c 圖 $d 30公分
314 $a 指導教授 : 鄭錦隆、鄭錦聰
320 $a 含參考書目
328 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學機械與機電工程研究所
510 1 $a Memory Characteristics of Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Structured Nonvolatile Memory with HfLaTiON as Charge Trapping Layer
610 0 $a 氮氧化鉿鑭
610 0 $a 氮氧化鉿鑭鈦
610 0 $a 濺鍍機
610 0 $a 電荷補捉層
610 0 $a 非揮發性記憶體元件
610 0 $a 高介電係數材料
610 1 $a Charge Trapping Layer
610 1 $a HfLaOxNy
610 1 $a HfLaTiON
610 1 $a High-k Dielectrics
610 1 $a Nonvolatile Memory Devices
610 1 $a Sputter
681 $a 008.154M $b 0852
700 1 $a 許 $b 哲睿 $3 719280
702 1 $a 鄭 $b 錦隆 $3 485022
702 1 $a 鄭 $b 錦聰 $3 397516
770 1 $a Che-Jui Hsu $3 718648
772 0 $a Chin-Lung Cheng $3 541150
772 0 $a Jin-Tsong Jeng $3 722052
801 0 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20100914
801 1 $a tw $b 國立虎尾科技大學圖書館 $c 20101015
856 4 $u http://cetd.lib.nfu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0028-0806201016502700