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Electroabsorption Modulated Lasers and Hybridly Integrated Lasers for Communication and Sensing = = Elektroabsorptionsmodulierte Laser und hybrid integrierte Laser fur Telekommunikation und Sensorik.

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	Electroabsorption Modulated Lasers and Hybridly Integrated Lasers for Communication and Sensing =/
其他題名:	Elektroabsorptionsmodulierte Laser und hybrid integrierte Laser fur Telekommunikation und Sensorik.
作者:	Theurer, Michael Andreas Davy.
出版者:	Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, : 2021,
面頁冊數:	119 p.
附註:	Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 83-02, Section: B.
Contained By:	Dissertations Abstracts International83-02B.
標題:	Influence. -
電子資源:	http://pqdd.sinica.edu.tw/twdaoapp/servlet/advanced?query=28747696
ISBN:	9798535579627

Electroabsorption Modulated Lasers and Hybridly Integrated Lasers for Communication and Sensing = = Elektroabsorptionsmodulierte Laser und hybrid integrierte Laser fur Telekommunikation und Sensorik.
Theurer, Michael Andreas Davy.

Electroabsorption Modulated Lasers and Hybridly Integrated Lasers for Communication and Sensing =Elektroabsorptionsmodulierte Laser und hybrid integrierte Laser fur Telekommunikation und Sensorik. - Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, 2021 - 119 p.

Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 83-02, Section: B.

Thesis (Dr.rer.nat.)--Technische Universitaet Berlin (Germany), 2021.

This item must not be sold to any third party vendors.

Photonic integration offers great innovation potential for the development of photonic components. This work explores this potential by investigating III V based electroabsorption modulated lasers (EMLs) with monolithically integrated semiconductor optical amplifiers (SOAs) and by developing a III V to SiN TriPleX hybrid integration process.The EMLs with integrated SOAs are realized with a low cost identical active layer design. Based on simulations and experimental results, critical design parameters are identified and the corresponding performance tradeoffs are evaluated. A single transmitter EML with integrated SOA is presented, which meets the high output power and extinction ratio requirements of passive optical network (PON) applications. An EML array with integrated SOAs is demonstrated as a compact low cost solution for 200 Gbit/s transmitter.For the first time, a generic hybrid integration process that is compatible with wafer scale flip chip integration of III V to SiN TriPleX is developed. It comprises mechanical alignment stops with epitaxial precise dimensions for passive vertical alignment. For the horizontal alignment, a novel active alignment method is presented. It utilizes optical backscatter reflectometry, which allows overcoming the electrical contacting limitations of classical active alignment. The flip chip hybrid integration process is demonstrated for distributed feedback (DFB) lasers, DFB laser arrays, gain chips, and EML arrays.

ISBN: 9798535579627Subjects--Topical Terms:

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Electroabsorption

Electroabsorption Modulated Lasers and Hybridly Integrated Lasers for Communication and Sensing = = Elektroabsorptionsmodulierte Laser und hybrid integrierte Laser fur Telekommunikation und Sensorik.
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500 $a Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 83-02, Section: B.
500 $a Advisor: Woggon, Ulrike.
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520 $a Photonic integration offers great innovation potential for the development of photonic components. This work explores this potential by investigating III V based electroabsorption modulated lasers (EMLs) with monolithically integrated semiconductor optical amplifiers (SOAs) and by developing a III V to SiN TriPleX hybrid integration process.The EMLs with integrated SOAs are realized with a low cost identical active layer design. Based on simulations and experimental results, critical design parameters are identified and the corresponding performance tradeoffs are evaluated. A single transmitter EML with integrated SOA is presented, which meets the high output power and extinction ratio requirements of passive optical network (PON) applications. An EML array with integrated SOAs is demonstrated as a compact low cost solution for 200 Gbit/s transmitter.For the first time, a generic hybrid integration process that is compatible with wafer scale flip chip integration of III V to SiN TriPleX is developed. It comprises mechanical alignment stops with epitaxial precise dimensions for passive vertical alignment. For the horizontal alignment, a novel active alignment method is presented. It utilizes optical backscatter reflectometry, which allows overcoming the electrical contacting limitations of classical active alignment. The flip chip hybrid integration process is demonstrated for distributed feedback (DFB) lasers, DFB laser arrays, gain chips, and EML arrays.
520 $a Fur die Entwicklung photonischer Komponenten bietet die photonische Integration ein immenses Innovationspotential. Mit neuen technologischen Integrationslosungen tragt diese Arbeit dazu bei, dieses Potential auszuschopfen. Es werden zum einen auf III V Halbleiter basierende elektroabsorptionsmodulierte Laser (EMLs) mit monolithisch integrierten optischen Halbleiterverstarkern (engl. semiconductor optical amplifiers - SOAs) weiterentwickelt, zum anderen wird ein Prozess fur die hybride Integration von auf III V basierten photonischen Komponenten mit der auf SiN basierenden photonischen Plattform TriPleX entwickelt. Die EMLs mit integrierten SOAs werden mit identischem aktivem Schichtpacket realisiert, was eine kostengunstige Fabrikation ermoglicht. Ausgehend von Simulationen und experimentellen Ergebnissen werden relevante Designparameter identifiziert und entsprechende Leistungskompromisse evaluiert. Ein Einzeltransmitter-EML mit integriertem SOA wird vorgestellt, welcher die hohen Anforderungen an Ausgangsleistung und Extinktionsverhaltnis von passiven optischen Netzwerken (PONs) erfullt. Ein EML-Array mit integrierten SOAs wird als kompakte und kostengunstige Losung fur 200-Gbit/s Transmitter demonstriert. Es wird erstmalig ein generischer Prozess der hybriden Integration vorgestellt, welcher eine Flip-Chip-Montage von auf III-V basierten Komponenten zu SiN TriPleX auf Wafer Masstab erlaubt. Der Prozess verwendet mechanische Auflageflachen mit epitaktisch prazisen Dimensionen fur eine passive vertikale Justage. Fur die horizontale Ausrichtung wird ein neuartiges Justageverfahren vorgestellt. Dabei wird ein reflektiertes optisches Signal fur die aktive Justage genutzt, wodurch auf die sonst notwendige elektrische Kontaktierung verzichtet werden kann. Der hybride Integrationsprozess wird fur DFB-Laser (engl. distributed feedback laser), DFB-Laser-Arrays, Gain-Chips und EML-Arrays demonstriert.
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