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以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Character...

盧婉惠

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 =/ 盧婉惠.
其他題名:	Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
其他題名:	Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method.
作者:	盧婉惠
出版者:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民114.07.,
面頁冊數:	[11], 86面 :圖, 表 ; : 30公分.;
附註:	指導教授: 方昭訓.
標題:	低電位沉積. -
電子資源:	電子資源

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
盧婉惠

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 =Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method.盧婉惠. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民114.07. - [11], 86面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 方昭訓.

碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

1011312
低電位沉積.
Subjects--Index Terms:

Surface-Limited Redox Replacement.

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
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500 $a 指導教授: 方昭訓.
500 $a 學年度: 113.
502 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.
504 $a 含參考書目.
563 $a (平裝).
650 # 4 $a 低電位沉積. $3 1011312
650 # 4 $a 鈷銅合金薄膜. $3 1489918
650 # 4 $a 連導線. $3 1011310
650 # 4 $a 微量摻雜. $3 1489919
650 # 4 $a 表面侷限氧化還原置換. $3 1245707
650 # 4 $a 電化學原子層沉積. $3 1011300
650 # 4 $a Underpotential Deposition. $3 1215703
650 # 4 $a Co-Cu Alloy Thin Film. $3 1489920
650 # 4 $a Interconnects. $3 1346159
650 # 4 $a Trace Doping. $3 1489921
650 # 4 $a Electrochemical Atomic Layer Deposition. $3 1420508
653 # # $a Surface-Limited Redox Replacement.
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