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以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Character...

盧婉惠

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 =/ 盧婉惠.
Reminder of title:	Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
remainder title:	Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method.
Author:	盧婉惠
Published:	雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民114.07.,
Description:	[11], 86面 :圖, 表 ; : 30公分.;
Notes:	指導教授: 方昭訓.
Subject:	低電位沉積. -
Online resource:	電子資源

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
盧婉惠

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 =Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method.盧婉惠. - 初版. - 雲林縣 :國立虎尾科技大學 ,民114.07. - [11], 86面 :圖, 表 ;30公分.

指導教授: 方昭訓.

碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.

含參考書目.

(平裝).Subjects--Topical Terms:

1011312
低電位沉積.
Subjects--Index Terms:

Surface-Limited Redox Replacement.

以原子層置換法實現微量摻雜銅之鈷合金薄膜特性 = = Characteristics of Cobalt Alloy Thin Films with Trace Copper Doping via Atomic Layer Replacement Method /
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500 $a 指導教授: 方昭訓.
500 $a 學年度: 113.
502 $a 碩士論文--國立虎尾科技大學材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班.
504 $a 含參考書目.
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650 # 4 $a 低電位沉積. $3 1011312
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650 # 4 $a 電化學原子層沉積. $3 1011300
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650 # 4 $a Co-Cu Alloy Thin Film. $3 1489920
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650 # 4 $a Trace Doping. $3 1489921
650 # 4 $a Electrochemical Atomic Layer Deposition. $3 1420508
653 # # $a Surface-Limited Redox Replacement.
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