調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性 = = Co(N...
陳坤煌

 

  • 調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性 = = Co(Ni) Film Prepared by Controlling Open Circuit Potential Duration of Ni During Surface-limited Redox Replacement of the Underpotential Deposited Co /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性 =/ 陳坤煌.
    其他題名: Co(Ni) Film Prepared by Controlling Open Circuit Potential Duration of Ni During Surface-limited Redox Replacement of the Underpotential Deposited Co /
    其他題名: Co(Ni) Film Prepared by Controlling Open Circuit Potential Duration of Ni During Surface-limited Redox Replacement of the Underpotential Deposited Co.
    作者: 陳坤煌
    出版者: 雲林縣 :國立虎尾科技大學 , : 民110.07.,
    面頁冊數: [12], 130葉 :圖, 表 ; : 30公分.;
    附註: 指導教授: 方昭訓.
    標題: 鈷鎳合金薄膜. -
    電子資源: 電子資源
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